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第11章 集成电路篇（第1页）

集成电路（tegratedcircuit，简称ic）的展历史可以追溯到o世纪中叶。以下是其展的主要历程和趋势：

早期展阶段年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿明了晶体管，这是微电子技术展中的第一个里程碑。

o年结型晶体管诞生。

年场效应晶体管明。

年csfuer明了扩散工艺。

年仙童公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器的杰克·基尔比分别明了集成电路，开创了世界微电子学的历史。

技术进步o年hhloor和ei明了光刻工艺。

年美国rca公司研制出os场效应晶体管。

duanass和ctsah次提出os技术，今天以上的集成电路芯片都是基于os工艺。

年英特尔的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每个月增加一倍。

年美国rca公司研制出os集成电路，并研制出第一块门阵列（o门）。

年应用材料公司（appiedaterias）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司。

大规模集成电路时代年英特尔推出kb动态随机存储器（dra），标志着大规模集成电路出现。

年全球第一个微处理器oo由英特尔公司推出，采用的是os工艺，这是一个里程碑式的明。

年rca公司推出第一个os微处理器dubsra问世。

dub动态随机存储器诞生，不足o平方厘米的硅片上集成了万个晶体管，标志着大规模集成电路（vlsi）时代的来临。

个人电脑时代年英特尔推出hzo微处理器，之后，ib基于o推出全球第一台pc。

dubossra问世。

年日本宣布推出dubsra。

年微处理器问世，ohz。

年dra问世，平方厘米大小的硅片上集成有oo万个晶体管，标志着进入大规模集成电路（vlsi）阶段。

现代展年bdra进入市场。

年微处理器推出，hz，μ工艺，后来ohz芯片采用oμ工艺。

年位随机存储器问世。

年hz奔腾处理器推出，采用oμ工艺。

年pentiupro，hz，采用o-oμ工艺。

年oohz奔腾问世，采用oμ工艺。

年奔腾问世，ohz，采用oμ工艺，后采用oμ工艺。

ooo年gbra投放市场。

ooo年奔腾问世，ghz，采用oμ工艺。

oo年英特尔宣布oo年下半年采用oμ工艺。